Samsung Galaxy S8 станет первым смартфоном со Snapdragon 835

Грядущий флагманский смартфон Samsung Galaxy S8 станет первым устройством, оснащённым новейшим 10-нанометровым процессором Qualcomm Snapdragon 835. В этом уверен аналитик IHS Кевин Вонг из Китая.


Кроме Galaxy S8, флагманским Snapdragon 835 оснастят и китайскую новинку Xiaomi Mi6. Оба аппарат должны представить уже в начале 2017 года, вероятно, в рамках выставки Mobile World Congress (MWC) 2017.
Чипсет Snapdragon 835 производится совместно компаниями Qualcomm и Samsung на мощностях южнокорейского производителя по техпроцессу 10 нанометров. Создатели обещают прирост производительности на 30 процентов по сравнению с процессорами предыдущего поколения и на 40 процентов меньшее потребление энергии. Кроме того, алгоритмы зарядки восьмиядерного процессора позволят заряжать смартфон в среднем за 15 минут. В качестве графической карты в связке с процессором используется чип Adreno 540.
По последним слухам, чипсетом Snapdragon 835 оснастят также смартфон Microsoft Surface Phone. Однако выход новинки следует ожидать не ранее второй половины 2017 года. По материалам: dni24